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所蔵数 1 在庫数 1 予約数 0

書誌情報サマリ

タイトル

半導体結晶成長

著者名 大野 英男/編著
著者名ヨミ オオノ ヒデオ
出版者 コロナ社
出版年月 1999.2


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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 請求記号 配架場所 帯出区分 状態 在架
1 中央1214352377一般図書549.8/オ/閉架書庫通常貸出在庫 

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1999
1999
549.8 549.8
半導体 結晶成長

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

タイトルコード 1009810468691
書誌種別 図書(和書)
著者名 大野 英男/編著
著者名ヨミ オオノ ヒデオ
出版者 コロナ社
出版年月 1999.2
ページ数 265p
大きさ 22cm
ISBN 4-339-00704-8
分類記号 549.8
タイトル 半導体結晶成長
書名ヨミ ハンドウタイ ケッショウ セイチョウ
内容紹介 1.走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程のその場観察 2.Si-Ge系のCVDエピタキシーと原子層成長制御 3.GaAsの単分子成長機構 ほか8章
件名1 半導体
件名2 結晶成長

(他の紹介)内容紹介 本書は多様な半導体の結晶成長について、表面における原子・分子の動きをとらえることから、結晶成長とその技術、さらには成長した半導体結晶の性質に至るまでを解説したものである。
(他の紹介)目次 1 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程とその場観察
2 Si‐Ge系のCVDエピタキシーと原子層成長制御
3 GaAsの単分子成長機構
4 III‐V族化合物半導体のエピタキシーと表面構造
5 III‐V族希薄磁性半導体の結晶成長と物性
6 II‐VI族半導体量子井戸の作製と光物性
7 ZnS系材料の分子線エピタキシー成長
8 垂直ブリッジマン法によるtwin‐free ZnSe単結晶の作製と評価
9 高純度ZnSeおよびCdTeバルク単結晶の成長と評価
10 磁性半導体Euカルコゲナイドの結晶作製
11 カルコパイライト型化合物の結晶成長


内容細目


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